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K6R4016V1D-UI100

更新时间： 2024-01-23 23:08:20

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	224K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44

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K6R4016V1D-UI100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.82
最长访问时间：	10 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	18.41 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.005 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.075 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K6R4016V1D-UI100 数据手册

PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY

CMOS SRAM

K6R4016V1D

4Mb Async. Fast SRAM Ordering Information

Org.

Part Number

K6R4004C1D-J(K)C(I) 10

K6R4004V1D-J(K)C(I) 08/10

K6R4008C1D-J(K,T,U)C(I) 10

VDD(V)

Speed ( ns )

PKG

Temp. & Power

3.3

8/10

J : 32-SOJ

1M x4

K : 32-SOJ(LF) C : Commercial Temperature

,Normal Power Range

I : Industrial Temperature

,Normal Power Range

L : Commercial Temperature

,Low Power Range

P : Industrial Temperature

,Low Power Range

J : 36-SOJ

K : 36-SOJ(LF)

T : 44-TSOP2

U : 44-TSOP2(LF)

512K x8

K6R4008V1D-J(K,T,U)C(I) 08/10

K6R4016C1D-J(K,T,U,E)C(I) 10

K6R4016V1D-J(K,T,U,E)C(I,L,P) 08/10

3.3

8/10

J : 44-SOJ

K : 44-SOJ(LF)

T : 44-TSOP2

U : 44-TSOP2(LF)

E : 48-TBGA

256K x16

3.3

8/10

Rev 4.0

Mar. 2004

- 2 -

123 4 5 6 7...12

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