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K6R4016V1D-UI100

更新时间: 2024-02-14 08:36:06
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 224K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44

K6R4016V1D-UI100 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSOP44,.46,32针数:44
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
最长访问时间:10 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44长度:18.41 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16湿度敏感等级:2
功能数量:1端子数量:44
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.005 A
最小待机电流:3 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.075 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

K6R4016V1D-UI100 数据手册

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PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY  
CMOS SRAM  
K6R4016V1D  
WRITE CYCLE*  
Parameter  
K6R4016V1D-08  
Max  
K6R4016V1D-10  
Max  
Symbol  
Unit  
Min  
8
Min  
10  
7
Write Cycle Time  
tWC  
tCW  
tAS  
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Chip Select to End of Write  
Address Set-up Time  
6
0
0
Address Valid to End of Write  
Write Pulse Width(OE High)  
Write Pulse Width(OE Low)  
UB, LB Valid to End of Write  
Write Recovery Time  
tAW  
tWP  
tWP1  
tBW  
tWR  
tWHZ  
tDW  
tDH  
6
7
6
7
8
10  
7
6
0
0
Write to Output High-Z  
0
0
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
End of Write to Output Low-Z  
4
5
0
0
tOW  
3
3
* The above parameters are also guaranteed at industrial temperature range.  
TIMING DIAGRAMS  
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE(1) (Address Controlled, CS=OE=VIL, WE=VIH, UB, LB=VIL)  
tRC  
Address  
tAA  
tOH  
Valid Data  
Data Out  
Previous Valid Data  
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE(2) (WE=VIH)  
tRC  
Address  
tAA  
tCO  
tHZ(3,4,5)  
CS  
tBHZ(3,4,5)  
tBA  
UB, LB  
OE  
tBLZ(4,5)  
tOHZ  
tOE  
tOLZ  
tOH  
tLZ(4,5)  
Data out  
High-Z  
Valid Data  
tPU  
tPD  
ICC  
ISB  
VCC  
50%  
50%  
Current  
Rev 4.0  
Mar. 2004  
- 7 -  

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