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K6R1016V1D-EC100

更新时间： 2024-01-30 03:33:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	302K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48

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K6R1016V1D-EC100 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA,
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.89	最长访问时间：	10 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	7 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

K6R1016V1D-EC100 数据手册

for AT&T

CMOS SRAM

K6R1016V1D

Document Title

64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating)

Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

Revision History

Rev.No.

History

Draft Data

Remark

Rev. 0.0

Rev. 0.1

Rev. 0.2

Initial document.

Speed bin modify

Current modify

May. 11. 2001

June. 18. 2001

September. 9. 2001

Preliminary

Rev. 1.0

1. Delete 12ns speed bin.

2. Change Icc for Industrial mode.

Item

December. 18. 2001

Final

100mA

85mA

Current

90mA

75mA

8ns

ICC(Industrial)

10ns

Rev. 2.0

Rev. 3.0

Rev. 4.0

1. Add tBA,tBLZ,tBHZ,tBW AC parematers.

1. Correct read cycle timing diagram(2).

1. Add the Lead Free Package type.

February. 14. 2002

June. 19. 2002

July. 26, 2004

Final

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any questions,

please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Rev. 4.0

July 2004

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K6R1016V1D-EI10	SAMSUNG	获取价格	256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating).
K6R1016V1D-EI100	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48
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K6R1016V1D-JC08/10	SAMSUNG	获取价格	64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industria
K6R1016V1D-JC080	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

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