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K6R1016V1D-JI08T

更新时间： 2024-02-13 03:18:23
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 190K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44

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K6R1016V1D-JI08T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOJ, SOJ44,.44Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：8 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J44
JESD-609代码：e0内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
端子数量：44字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ44,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.001 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

K6R1016V1D-JI08T 数据手册

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PRELIMINARY  
PRELIMINARY  
K6R1004C1D  
CMOS SRAM  
Document Title  
256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating).  
Revision History  
Rev.No.  
History  
Draft Data  
Remark  
Rev. 0.0  
Rev. 0.1  
Rev. 0.2  
Initial release with Preliminary.  
Current modify  
June. 8. 2001  
September. 9. 2001  
December. 18. 2001  
Preliminary  
Preliminary  
Preliminary  
1. Delete 15ns speed bin.  
2. Change Icc for Industrial mode.  
Item  
Previous  
85mA  
75mA  
Current  
75mA  
65mA  
10ns  
ICC(Industrial)  
12ns  
Rev. 1.0  
1. Final datasheet release.  
2. Delete UB,LB releated AC characteristics and timing diagram.  
June. 19. 2002  
Final  
Rev. 2.0  
Rev. 3.0  
1. Delete 12ns speed bin.  
July. 8. 2002  
July. 26, 2004  
Final  
Final  
1. Add the Lead Free Package type.  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
Rev. 3.0  
July 2004  
- 1 -  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K6R1016V1D-JI10 SAMSUNG

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 		256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating).
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