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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | VFBGA, BGA48,6X8,30 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.B | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 8 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 7 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1 mm | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 6 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6R1016V1D-EC08/10 | SAMSUNG |
获取价格 |
64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industria |
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| K6R1016V1D-EC080 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
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| K6R1016V1D-EC10 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
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| K6R1016V1D-EC100 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
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| K6R1016V1D-EI08 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
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| K6R1016V1D-EI08/10 | SAMSUNG |
获取价格 |
64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industria |
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| K6R1016V1D-EI080 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
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| K6R1016V1D-EI10 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
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| K6R1016V1D-EI100 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
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| K6R1016V1D-FI12 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PBGA48 |
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