Datasheet > K6R1016C1C-TL12

K6R1016C1C-TL12

更新时间： 2024-02-23 12:41:39

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	268K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K6R1016C1C-TL12 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP44,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	12 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.0003 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.095 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

K6R1016C1C-TL12 数据手册

CMOS SRAM

K6R1016C1C-C/C-L, K6R1016C1C-I/C-P

Document Title

64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating).

Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

Revision History

Rev.No.

Rev. 0.0

Rev. 1.0

History

Remark

Draft Data

Aug. 5. 1998

Sep. 7. 1998

Initial release with preliminary.

Preliminary

Relax DC characteristics.

Item

90mA

88mA

Changed

95mA

93mA

ICC

12ns

15ns

20ns

85mA

90mA

Rev. 2.0

Rev. 2.1

Add 48-fine pitch BGA.

Changed device part name for FP-BGA.

Sep. 17. 1998

Nov. 5. 1998

Preliminary

Final

Item

Changed

Symbol

ex) K6R1016C1C-Z -> K6R1016C1C-F

Rev. 2.2

Rev. 3.0

Changed device ball name for FP-BGA.

Dec. 10. 1998

Mar. 3. 1999

Final

Changed

I/O9 ~ I/O16

I/O1 ~ I/O8

I/O9 ~ I/O16

Added Data Retention Characteristics.

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any questions,

please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Revision 3.0

March 1999

- 1 -

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与K6R1016C1C-TL12相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K6R1016C1C-TL20	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6R1016C1C-TL20T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44
K6R1016C1C-TP10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44
K6R1016C1C-TP10T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44
K6R1016C1C-TP12	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6R1016C1C-TP15	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6R1016C1D	SAMSUNG	获取价格	64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industria
K6R1016C1D-EC10	SAMSUNG	获取价格	256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating).
K6R1016C1D-EI10	SAMSUNG	获取价格	256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating).
K6R1016C1D-EI100	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48

与K6R1016C1C-TL12相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

4
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

3
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

3
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K6R1016C1C-TL12

K6R1016C1C-TL12 技术参数

K6R1016C1C-TL12 数据手册

与K6R1016C1C-TL12相关器件

与K6R1016C1C-TL12相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K6R1016C1C-TL12

K6R1016C1C-TL12 技术参数

K6R1016C1C-TL12 数据手册

与K6R1016C1C-TL12相关器件

与K6R1016C1C-TL12相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？