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K6R1016C1D-TI100

更新时间： 2024-01-31 13:43:15
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 302K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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K6R1016C1D-TI100 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2,
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.89Is Samacsys：N
最长访问时间：10 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：18.41 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

K6R1016C1D-TI100 数据手册

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PRELIMINARY  
CMOS SRAM  
K6R1016C1D  
Document Title  
64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating).  
Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.  
Revision History  
Rev.No.  
History  
Draft Data  
Remark  
Rev. 0.0  
Rev. 0.1  
Rev. 0.2  
Rev. 0.3  
Initial release with Preliminary.  
Page 4, DC operation condition modify  
Current modify  
June. 8. 2001  
Preliminary  
Preliminary  
Preliminary  
Preliminary  
June. 16. 2001  
September. 9. 2001  
December. 18.2001  
1. Delete 15ns speed bin.  
2. Change Icc for Industrial mode.  
Item  
Previous  
85mA  
75mA  
Current  
75mA  
65mA  
10ns  
12ns  
ICC(Industrial)  
Rev. 1.0  
1. Final datasheet release.  
2. Correct read cycle timing diagram(2).  
June. 19. 2002  
July. 8. 2002  
July. 26, 2004  
Final  
Final  
Final  
Rev. 2.0  
Rev. 3.0  
1. Delete 12ns speed bin.  
1. Add the Lead Free Package type.  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any questions,  
please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
Rev. 3.0  
July 2004  
- 1 -  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating).
K6R1016C1D-UC100 SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44
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