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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | TSOP1, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 55 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| 长度： | 11.8 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6F4008V1D-YF550 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 |
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| K6F4008V1D-YF55T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6F4008V1D-YF70T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6F4016R4C-FF700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6.50 X 8.50 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48 |
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| K6F4016R4E | SAMSUNG |
获取价格 |
256K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F4016R4E-EF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F4016R4E-EF700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
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| K6F4016R4E-EF70T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
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| K6F4016R4E-EF85 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
|
| K6F4016R4E-EF850 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
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