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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B104 |
| JESD-609代码： | e1 | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | RAMBUS DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 104 |
| 字数： | 134217728 words | 字数代码： | 128000000 |
| 最高工作温度： | 100 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA104,11X16,50/32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 32768 | 最大待机电流： | 0.025 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 1.1 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4Y50044UC-JCC4 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mbit XDR TM DRAM(C-die) |
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| K4Y50044UE-JC | SAMSUNG |
获取价格 |
XDRTM DRAM Product Guide |
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| K4Y50044UE-JCA2T | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 128MX4, 36ns, CMOS, PBGA100 |
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| K4Y50044UE-JCB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 128MX4, 35ns, CMOS, PBGA100 |
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| K4Y50044UE-JCB30 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 128MX4, 35ns, CMOS, PBGA100, ROHS COMPLIANT, FBGA-100 |
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| K4Y50044UE-JCC40 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 128MX4, 28ns, CMOS, PBGA100, ROHS COMPLIANT, FBGA-100 |
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| K4Y50084UC | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mbit XDR TM DRAM(C-die) |
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| K4Y50084UC-JC | SAMSUNG |
获取价格 |
XDRTM DRAM Product Guide |
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| K4Y50084UC-JCA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mbit XDR TM DRAM(C-die) |
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| K4Y50084UC-JCB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mbit XDR TM DRAM(C-die) |
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