是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA100,11X16,50/32 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.84 | 访问模式: | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
最长访问时间: | 36 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B100 |
长度: | 14.5 mm | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | RAMBUS DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 100 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA100,11X16,50/32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 32768 | 座面最大高度: | 1.13 mm |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.04 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.92 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.89 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.71 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4Y50164UE-JCA2T | SAMSUNG |
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Rambus DRAM, 32MX16, 36ns, CMOS, PBGA100 | |
K4Y50164UE-JCB3 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM, 32MX16, 35ns, CMOS, PBGA100 | |
K4Y50164UE-JCB3T | SAMSUNG |
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Rambus DRAM, 32MX16, 35ns, CMOS, PBGA100 | |
K4Y50164UE-JCC4 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM, 32MX16, 28ns, CMOS, PBGA100 | |
K4Y50164UE-JCC40 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM, 32MX16, 28ns, CMOS, PBGA100, ROHS COMPLIANT, FBGA-100 | |
K4Y50164UE-JCC4T | SAMSUNG |
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Rambus DRAM, 32MX16, 28ns, CMOS, PBGA100 | |
K4Y54044UF-JCA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 64MX4, 53.6ns, CMOS, PBGA104 | |
K4Y54044UF-JCB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 64MX4, 53.6ns, CMOS, PBGA104 | |
K4Y54044UF-JCB30 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 64MX4, CMOS, PBGA104 | |
K4Y54044UF-JCC3 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 64MX4, 53.6ns, CMOS, PBGA104 |