5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | BGA, BGA100,11X16,50/32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 36 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B100 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | RAMBUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 最高工作温度： | 100 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32MX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA100,11X16,50/32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 32768 |
| 最大待机电流： | 0.04 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.92 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4Y50164UE-JCB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX16, 35ns, CMOS, PBGA100 |
|
| K4Y50164UE-JCB3T | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX16, 35ns, CMOS, PBGA100 |
|
| K4Y50164UE-JCC4 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX16, 28ns, CMOS, PBGA100 |
|
| K4Y50164UE-JCC40 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX16, 28ns, CMOS, PBGA100, ROHS COMPLIANT, FBGA-100 |
|
| K4Y50164UE-JCC4T | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 32MX16, 28ns, CMOS, PBGA100 |
|
| K4Y54044UF-JCA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 64MX4, 53.6ns, CMOS, PBGA104 |
|
| K4Y54044UF-JCB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 64MX4, 53.6ns, CMOS, PBGA104 |
|
| K4Y54044UF-JCB30 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 64MX4, CMOS, PBGA104 |
|
| K4Y54044UF-JCC3 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 64MX4, 53.6ns, CMOS, PBGA104 |
|
| K4Y54044UF-JCC30 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 64MX4, CMOS, PBGA104 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
