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K4T1G164QD

更新时间： 2024-01-18 23:39:12

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
27页	587K
描述
1Gb D-die DDR2 SDRAM Specification

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K4T1G164QD 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA92,9X21,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B92	长度：	21.7 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	92	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	64MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA92,9X21,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11 mm

K4T1G164QD 数据手册

K4T1G084QD

K4T1G164QD

DDR2 SDRAM

3.0 Package Pinout/Mechanical Dimension & Addressing

3.1 x8 package pinout (Top View) : 60ball FBGA Package

NU/

VDD

DQ6

VSS

VSSQ

DQS

VSSQ

DQ0

VDDQ

DQ7

RDQS

DM/

VSSQ

DQ1

RDQS

VDDQ

DQ4

VDDQ

DQ3

VDDQ

DQ2

VDDQ

DQ5

VSSQ

VDDL VREF

CKE

VSS

VSSDL

RAS

VDD

ODT

BA2

BA0

BA1

CAS

A10/AP

VDD

VSS

A11

VDD

A12

A13

Note:

1. Pins B3 and A2 have identical capacitance as pins B7 and A8.

2. For a read, when enabled, strobe pair RDQS & RDQS are identical in

function and timing to strobe pair DQS & DQS and input masking function

is disabled.

3. The function of DM or RDQS/RDQS are enabled by EMRS command.

4. VDDL and VSSDL are power and ground for the DLL.

: Populated Ball

Ball Locations (x8)

: Depopulated Ball

Top View (See the balls through the Package)

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Rev. 1.0 March 2007

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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