5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > K4T1G164QD
K4T1G164QD PDF预览

K4T1G164QD

更新时间： 2024-02-19 20:22:05
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
27页 587K
描述
1Gb D-die DDR2 SDRAM Specification

阅读下载

获取价格

K4T1G164QD 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：BGA, BGA92,9X21,32
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
访问模式：MULTI BANK PAGE BURST最长访问时间：0.6 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：200 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：4,8
JESD-30 代码：R-PBGA-B92长度：21.7 mm
内存密度：1073741824 bit内存集成电路类型：DDR DRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：1
端子数量：92字数：67108864 words
字数代码：64000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：
组织：64MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA92,9X21,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES连续突发长度：4,8
子类别：DRAMs最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：11 mm

K4T1G164QD 数据手册

 浏览型号K4T1G164QD的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K4T1G164QD的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4T1G164QD的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4T1G164QD的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4T1G164QD的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4T1G164QD的Datasheet PDF文件第7页 
K4T1G084QD  
K4T1G164QD  
DDR2 SDRAM  
1.0 Ordering Information  
Org.  
DDR2-800 5-5-5  
DDR2-800 6-6-6  
DDR2-667 5-5-5  
DDR2-533 4-4-4  
DDR2-400 3-3-3  
Package  
128Mx8 K4T1G084QD-ZC(L)E7 K4T1G084QD-ZC(L)F7 K4T1G084QD-ZC(L)E6 K4T1G084QD-ZC(L)D5 K4T1G084QD-ZC(L)CC 60 FBGA  
64Mx16 K4T1G164QD-ZC(L)E7 K4T1G164QD-ZC(L)F7 K4T1G164QD-ZC(L)E6 K4T1G164QD-ZC(L)D5 K4T1G164QD-ZC(L)CC 84 FBGA  
Note :  
1. Speed bin is in order of CL-tRCD-tRP.  
2. RoHS Compliant.  
2.0 Key Features  
Speed  
CAS Latency  
tRCD(min)  
tRP(min)  
DDR2-800 5-5-5  
DDR2-800 6-6-6  
DDR2-667 5-5-5  
DDR2-533 4-4-4  
DDR2-400 3-3-3  
Units  
tCK  
ns  
5
6
5
4
3
12.5  
12.5  
57.5  
15  
15  
60  
15  
15  
60  
15  
15  
60  
15  
15  
55  
ns  
tRC(min)  
ns  
• JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply  
• VDDQ = 1.8V ± 0.1V  
• 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/  
pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/  
sec/pin  
• 8 Banks  
• Posted CAS  
• Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6  
• Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5  
• Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1  
• Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)  
• Programmable Sequential / Interleave Burst Mode  
• Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data-  
strobe is an optional feature)  
• Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment  
• On Die Termination  
The 1Gb DDR2 SDRAM is organized as a 16Mbit x 8 I/Os x  
8banks or 8Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous  
device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up  
to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications.  
The chip is designed to comply with the following key DDR2  
SDRAM features such as posted CAS with additive latency, write  
latency = read latency - 1, Off-Chip Driver(OCD) impedance  
adjustment and On Die Termination.  
All of the control and address inputs are synchronized with a pair  
of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the  
crosspoint of differential clocks (CK rising and CK falling). All I/Os  
are synchronized with a pair of bidirectional strobes (DQS and  
DQS) in a source synchronous fashion. The address bus is used  
to convey row, column, and bank address information in a RAS/  
CAS multiplexing style. For example, 1Gb(x8) device receive 14/  
10/3 addressing.  
The 1Gb DDR2 device operates with a single 1.8V ± 0.1V power  
supply and 1.8V ± 0.1V VDDQ.  
The 1Gb DDR2 device is available in 60ball FBGAs(x8) and in  
84ball FBGAs(x16).  
• Special Function Support  
- PASR(Partial Array Self Refresh)  
- 50ohm ODT  
Note : The functionality described and the timing specifications included in  
this data sheet are for the DLL Enabled mode of operation.  
- High Temperature Self-Refresh rate enable  
• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C,  
3.9us at 85°C < TCASE < 95 °C  
• All of Lead-free products are compliant for RoHS  
Note : This data sheet is an abstract of full DDR2 specification and does not cover the common features which are described in “DDR2 SDRAM Device  
Operation & Timing Diagram”.  
2 of 29  
Rev. 1.0 March 2007  
1234567...27

下载PDF

与K4T1G164QD相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K4T1G164QD-ZCCC SAMSUNG DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84

获取价格
K4T1G164QD-ZCCCT SAMSUNG DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84

获取价格
K4T1G164QD-ZCD5T SAMSUNG DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84

获取价格
K4T1G164QD-ZCE60 SAMSUNG DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84

获取价格
K4T1G164QD-ZCE6T SAMSUNG DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84

获取价格
K4T1G164QD-ZCE7 SAMSUNG DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84

获取价格

与K4T1G164QD相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证