5秒后页面跳转
K4S283233F-EE75 PDF预览

K4S283233F-EE75

更新时间: 2024-02-13 12:56:09
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 63K
描述
Synchronous DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90

K4S283233F-EE75 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:LFBGA, BGA90,9X15,32
针数:90Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B90长度:13 mm
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:32湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:90字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:4MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LFBGA
封装等效代码:BGA90,9X15,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.45 mm
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.25 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:11 mm
Base Number Matches:1

K4S283233F-EE75 数据手册

 浏览型号K4S283233F-EE75的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4S283233F-EE75的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4S283233F-EE75的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4S283233F-EE75的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4S283233F-EE75的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4S283233F-EE75的Datasheet PDF文件第7页 
K4S283233F-M(E)E/N/I/P  
CMOS SDRAM  
4Mx32  
Mobile SDRAM  
90FBGA  
(VDD/VDDQ 3.0V/3.0V or 3.3V/3.3V)  
Revision 1.5  
December 2002  
Rev. 1.5 Dec. 2002  

与K4S283233F-EE75相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4S283233F-EI1H SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
K4S283233F-EI1L SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
K4S283233F-EN1L SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
K4S283233F-EN75 SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
K4S283233F-EP1H SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
K4S283233F-EP1L SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
K4S283233F-F1H SAMSUNG

获取价格

1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
K4S283233F-F1L SAMSUNG

获取价格

1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
K4S283233F-F60 SAMSUNG

获取价格

1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
K4S283233F-F75 SAMSUNG

获取价格

1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA