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K4S283233F-EN75

更新时间: 2024-01-28 04:35:29
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 63K
描述
Synchronous DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90

K4S283233F-EN75 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:LFBGA, BGA90,9X15,32
针数:90Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.84访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.5 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B90
长度:13 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:32
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:90
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:4MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA封装等效代码:BGA90,9X15,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.45 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.25 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:11 mmBase Number Matches:1

K4S283233F-EN75 数据手册

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K4S283233F-M(E)E/N/I/P  
CMOS SDRAM  
4Mx32  
Mobile SDRAM  
90FBGA  
(VDD/VDDQ 3.0V/3.0V or 3.3V/3.3V)  
Revision 1.5  
December 2002  
Rev. 1.5 Dec. 2002  

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