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K4S280832C-TL1L0

更新时间： 2024-02-11 22:40:41

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	112K
描述
Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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K4S280832C-TL1L0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2,
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.31	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
长度：	22.22 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4S280832C-TL1L0 数据手册

K4S280832C

CMOS SDRAM

4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

• JEDEC standard 3.3V power supply

• LVTTL compatible with multiplexed address

• Four banks operation

The K4S280832C is 134,217,728 bits synchronous high data

rate Dynamic RAM organized as 4 x 4,194,304 words by 8 bits,

fabricated with SAMSUNG¢s high performance CMOS technol-

ogy. Synchronous design allows precise cycle control with the

use of system clock I/O transactions are possible on every clock

cycle. Range of operating frequencies, programmable burst

length and programmable latencies allow the same device to be

useful for a variety of high bandwidth, high performance mem-

ory system applications.

• MRS cycle with address key programs

-. CAS latency (2 & 3)

-. Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)

-. Burst type (Sequential & Interleave)

• All inputs are sampled at the positive going edge of the system

clock.

• Burst read single-bit write operation

• DQM for masking

ORDERING INFORMATION

• Auto & self refresh

Part No.

Max Freq.

Interface Package

• 64ms refresh period (4K cycle)

K4S280832C-TC/L75

K4S280832C-TC/L1H

K4S280832C-TC/L1L

133MHz(CL=3)

100MHz(CL=2)

100MHz(CL=3)

LVTTL

TSOP(II)

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

LWE

Data Input Register

LDQM

Bank Select

4M x 8

DQi

CLK

ADD

Column Decoder

Latency & Burst Length

LCKE

Programming Register

LWCBR

LRAS

LCBR

LWE

LCAS

LDQM

Timing Register

CLK

CKE

RAS

CAS

DQM

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 0.0 Mar. 2000

1 234 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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K4S280832C-TL750	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	获取价格
K4S280832D	SAMSUNG	128Mbit SDRAM (4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM)	获取价格
K4S280832D-NC1H	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54	获取价格
K4S280832D-NC75	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54	获取价格
K4S280832D-NC7C	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54	获取价格

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