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K4M64163LK-BN1H PDF预览

K4M64163LK-BN1H

更新时间： 2024-01-10 15:47:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 113K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54

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K4M64163LK-BN1H 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.75
最长访问时间：7 ns最大时钟频率 (fCLK)：111 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：1,2,4,8
JESD-30 代码：S-PBGA-B54内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：16
端子数量：54字数：4194304 words
字数代码：4000000最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C组织：4MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：FBGA封装等效代码：BGA54,9X9,32
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：2.5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096连续突发长度：1,2,4,8,FP
最大待机电流：0.0005 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.11 mA标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
Base Number Matches：1

K4M64163LK-BN1H 数据手册

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K4M64163LK - R(B)N/G/L/F  
Mobile-SDRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value  
-1.0 ~ 3.6  
-1.0 ~ 3.6  
-55 ~ +150  
1.0  
Unit  
V
Voltage on any pin relative to Vss  
Voltage on VDD supply relative to Vss  
Storage temperature  
V
IN, VOUT  
V
DD, VDDQ  
V
T
STG  
°C  
W
Power dissipation  
P
D
Short circuit current  
I
OS  
50  
mA  
NOTES:  
Permanent device damage may occur if ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS are exceeded.  
Functional operation should be restricted to recommended operating condition.  
Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.  
DC OPERATING CONDITIONS  
Recommended operating conditions (Voltage referenced to VSS = 0V, T = -25 to 85°C for Extended, -25 to 70°C for Commercial)  
A
Parameter  
Symbol  
Min  
2.3  
Typ  
Max  
Unit  
V
Note  
V
DD  
2.5  
2.7  
1
Supply voltage  
2.3  
2.5  
2.7  
V
1
V
DDQ  
IH  
Input logic high voltage  
Input logic low voltage  
Output logic high voltage  
Output logic low voltage  
Input leakage current  
NOTES :  
V
0.8 x VDDQ  
-0.3  
-
0
-
V
DDQ + 0.3  
V
2
V
IL  
0.3  
-
V
3
V
OH  
V
DDQ -0.2  
V
I
OH = -0.1mA  
V
OL  
LI  
-
-
0.2  
2
V
I
OL = 0.1mA  
4
I
-2  
-
uA  
1. Under all conditions VDDQ must be less than or equal to VDD.  
2. VIH (max) = 3.0V AC.The overshoot voltage duration is ≤ 3ns.  
3. VIL (min) = -1.0V AC. The undershoot voltage duration is ≤ 3ns.  
4. Any input 0V ≤ VIN ≤ VDDQ.  
Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with tri-state outputs.  
5. Dout is disabled, 0V ≤ VOUT ≤ VDDQ.  
CAPACITANCE (VDD = 2.5V, T = 23°C, f = 1MHz, VREF =0.9V ± 50 mV)  
A
Pin  
Symbol  
Min  
1.5  
1.5  
1.5  
2.0  
Max  
3.5  
3.0  
3.0  
4.5  
Unit  
Note  
Clock  
C
CLK  
IN  
pF  
pF  
pF  
pF  
RAS, CAS, WE, CS, CKE, DQM  
Address  
C
C
ADD  
OUT  
DQ0 ~ DQ15  
C
4
January 2006  
1234567...12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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