Datasheet > K4H561638F-UCA2

K4H561638F-UCA2

更新时间： 2024-10-01 19:43:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	366K
描述
DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4H561638F-UCA2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.4
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
端子数量：	66	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.3 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4H561638F-UCA2 数据手册

DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)

DDR SDRAM

256Mb F-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

3. Any system or application incorporating Samsung Memory Product(s) shall be designed to use or access the

memory addresses in a balanced and proportionate manner. Disproportionate, excessive and/or repeated

access to a particular address may result in reduction of product life.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.4 July. 2005

12 3 4 5 6 7...24

中文翻译

下载PDF

与K4H561638F-UCA2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H561638F-UCA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H561638F-UCAA	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4H561638F-UCB0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,
K4H561638F-UCB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H561638F-UCB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,
K4H561638F-UCB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H561638F-UCB3T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H561638F-UCC4	SAMSUNG	获取价格	256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
K4H561638F-UCC40	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP
K4H561638F-UCCC	SAMSUNG	获取价格	256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification

与K4H561638F-UCA2相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

31
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

27
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

26
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4H561638F-UCA2

K4H561638F-UCA2 技术参数

K4H561638F-UCA2 数据手册

与K4H561638F-UCA2相关器件

与K4H561638F-UCA2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4H561638F-UCA2

K4H561638F-UCA2 技术参数

K4H561638F-UCA2 数据手册

与K4H561638F-UCA2相关器件

与K4H561638F-UCA2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？