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K4H561638F-ZCC40

更新时间: 2024-01-18 03:29:32
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 190K
描述
DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60

K4H561638F-ZCC40 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TBGA,针数:60
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.83
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.65 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PBGA-B60
JESD-609代码:e1长度:14 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16湿度敏感等级:2
功能数量:1端口数量:1
端子数量:60字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V标称供电电压 (Vsup):2.6 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:8 mmBase Number Matches:1

K4H561638F-ZCC40 数据手册

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DDR SDRAM 256Mb F-die (x16)  
DDR SDRAM  
256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification  
(x16)  
60 FBGA with Pb-Free  
(RoHS compliant)  
Revision 1.0  
Rev. 1.0 August. 2003  

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