是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | BGA, BGA60,9X12,40/32 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 0.65 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 268435456 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 1 |
端子数量: | 60 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA60,9X12,40/32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 2.6 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
连续突发长度: | 2,4,8 | 最大待机电流: | 0.004 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.38 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 2.6 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4H561638F-ZLCC0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4H561638H | SAMSUNG |
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256Mb H-die DDR SDRAM Specification | |
K4H561638H-UC/LA2 | SAMSUNG |
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256Mb H-die DDR SDRAM Specification | |
K4H561638H-UC/LB0 | SAMSUNG |
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256Mb H-die DDR SDRAM Specification | |
K4H561638H-UC/LB3 | SAMSUNG |
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256Mb H-die DDR SDRAM Specification | |
K4H561638H-UC/LCC | SAMSUNG |
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256Mb H-die DDR SDRAM Specification | |
K4H561638H-UCA2 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66 | |
K4H561638H-UCA2T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66 | |
K4H561638H-UCB30 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 | |
K4H561638H-UCB3T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |