Datasheet > K4H561638H-UCCC

K4H561638H-UCCC

更新时间： 2024-02-02 18:43:57

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	368K
描述
DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4H561638H-UCCC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	最长访问时间：	0.65 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e6	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	端子数量：	66
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.004 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.35 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn97Bi3)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4H561638H-UCCC 数据手册

K4H560438H

K4H560838H

K4H561638H

DDR SDRAM

256Mb H-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II with Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.2 January 2006

12 3 4 5 6 7...24

中文翻译

下载PDF

K4H561638H-UCCC 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS43R16160B-5TL	ISSI	功能相似	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
K4H561638F-TCCC	SAMSUNG	功能相似	256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification

与K4H561638H-UCCC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H561638H-UCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4H561638H-UCCCT	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4H561638H-UI/PB0	SAMSUNG	获取价格	256Mb H-die DDR SDRAM Specification
K4H561638H-UI/PB3	SAMSUNG	获取价格	256Mb H-die DDR SDRAM Specification
K4H561638H-UI/PCC	SAMSUNG	获取价格	256Mb H-die DDR SDRAM Specification
K4H561638H-UIB0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H561638H-UIB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, LEAD FREE, TSOP2-66
K4H561638H-UIB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66
K4H561638H-UICC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, LEAD FREE, TSOP2-66
K4H561638H-ULA2	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66

与K4H561638H-UCCC相关文章

REF70数据手册解读：高精度电压参考源的全面剖析
2024-07-08

3
解析30211801数据手册：PCB端子排MKDSV 5/3-9.5
2024-07-08

2
UL248-14数据手册深度解读：微型保险丝的全面剖析
2024-07-08

4
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

18

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4H561638H-UCCC

K4H561638H-UCCC 技术参数

K4H561638H-UCCC 数据手册

K4H561638H-UCCC 替代型号

与K4H561638H-UCCC相关器件

与K4H561638H-UCCC相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4H561638H-UCCC

K4H561638H-UCCC 技术参数

K4H561638H-UCCC 数据手册

K4H561638H-UCCC 替代型号

与K4H561638H-UCCC相关器件

与K4H561638H-UCCC相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？