是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | PGA | 包装说明: | TFBGA, BGA60,9X12,40/32 |
针数: | 90 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.24 |
风险等级: | 5.83 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 |
长度: | 14 mm | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 60 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 16MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA60,9X12,40/32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 2,4,8 |
最大待机电流: | 0.003 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.33 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
K4H561638H-ZLB3 | SAMSUNG | DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60 |
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K4H561638H-ZLB3T | SAMSUNG | DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60 |
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K4H561638H-ZLCCT | SAMSUNG | DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60 |
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K4H561638H-ZPB0 | SAMSUNG | DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60 |
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K4H561638H-ZPB00 | SAMSUNG | DDR DRAM Module, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FPGA-90 |
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K4H561638J | SAMSUNG | DDR SDRAM Product Guide |
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