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K4H561638H-ZIB0

更新时间： 2024-10-03 09:48:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	415K
描述
DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60

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K4H561638H-ZIB0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	BGA, BGA60,9X12,40/32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	0.75 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	端子数量：	60
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA60,9X12,40/32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.28 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

K4H561638H-ZIB0 数据手册

Industrial DDR SDRAM

K4H561638H

256Mb H-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II & 60 FBGA

Industrial Temp. -40 to 85°C

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Rev. 1.3 February 2007

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H561638H-ZIB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FPGA-90
K4H561638H-ZIB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FPGA-90
K4H561638H-ZLB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60
K4H561638H-ZLB3T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60
K4H561638H-ZLCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60
K4H561638H-ZPB0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60
K4H561638H-ZPB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FPGA-90
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K4H561638J-HCB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60
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