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K4H561638F-UCB0

更新时间： 2024-02-19 01:19:31

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三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
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24页	366K
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DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,

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K4H561638F-UCB0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.4
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e6	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	端子数量：	66
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	2,4,8
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.3 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4H561638F-UCB0 数据手册

DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)

DDR SDRAM

256Mb F-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

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memory addresses in a balanced and proportionate manner. Disproportionate, excessive and/or repeated

access to a particular address may result in reduction of product life.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.4 July. 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H561638F-UCB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H561638F-UCB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,
K4H561638F-UCB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H561638F-UCB3T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H561638F-UCC4	SAMSUNG	获取价格	256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
K4H561638F-UCC40	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP
K4H561638F-UCCC	SAMSUNG	获取价格	256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
K4H561638F-UCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H561638F-ULA2	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,
K4H561638F-ULA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,

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