5秒后页面跳转
K4H561638F-TC/LAA PDF预览

K4H561638F-TC/LAA

更新时间: 2024-02-11 17:00:46
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
23页 330K
描述
256Mb F-die DDR SDRAM Specification

K4H561638F-TC/LAA 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
最长访问时间:0.65 ns最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66JESD-609代码:e6
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16湿度敏感等级:3
端子数量:66字数:16777216 words
字数代码:16000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP66,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.003 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.14 mA
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Bismuth (Sn97Bi3)端子形式:GULL WING
端子节距:0.635 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

K4H561638F-TC/LAA 数据手册

 浏览型号K4H561638F-TC/LAA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4H561638F-TC/LAA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4H561638F-TC/LAA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4H561638F-TC/LAA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4H561638F-TC/LAA的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4H561638F-TC/LAA的Datasheet PDF文件第7页 
DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)  
DDR SDRAM  
256Mb F-die DDR SDRAM Specification  
Revision 1.3  
October, 2004  
Rev. 1.3 October, 2004  

与K4H561638F-TC/LAA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4H561638F-TC/LB0 SAMSUNG

获取价格

256Mb F-die DDR SDRAM Specification
K4H561638F-TC/LB3 SAMSUNG

获取价格

256Mb F-die DDR SDRAM Specification
K4H561638F-TCA20 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H561638F-TCB0 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H561638F-TCB00 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H561638F-TCB3 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H561638F-TCB30 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H561638F-TCC4 SAMSUNG

获取价格

256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
K4H561638F-TCC40 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H561638F-TCCC SAMSUNG

获取价格

256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification