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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 0.7 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G66 | JESD-609代码： | e6 |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 66 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP | 封装等效代码： | TSSOP66,.46 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 连续突发长度： | 2,4,8 |
| 最大待机电流： | 0.003 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.27 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn97Bi3) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.635 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4H560838J-LLB30 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM, HALOGEN FREE AND ROHS C |
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| K4H560838J-LLB3T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, T |
|
| K4H560838J-LLCCT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, |
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| K4H560838M-TCA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
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| K4H560838M-TCA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
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| K4H560838M-TCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
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| K4H560838M-TLA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
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| K4H560838M-TLA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
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| K4H560838M-TLB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
|
| K4H560838N | SAMSUNG |
获取价格 |
Consumer Memory |
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