Datasheet > K4H560838N-LCB3

K4H560838N-LCB3

更新时间： 2024-02-03 23:15:34

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	589K
描述
DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4H560838N-LCB3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.41
最长访问时间：	0.7 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e3
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
端子数量：	66	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

K4H560838N-LCB3 数据手册

Rev. 1.01, May. 2010

K4H560438N

K4H560838N

K4H561638N

256Mb N-die DDR SDRAM

66TSOP-(II) with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

datasheet

SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND

SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE.

Products and specifications discussed herein are for reference purposes only. All information discussed

herein is provided on an "AS IS" basis, without warranties of any kind.

This document and all information discussed herein remain the sole and exclusive property of Samsung

Electronics. No license of any patent, copyright, mask work, trademark or any other intellectual property

right is granted by one party to the other party under this document, by implication, estoppel or other-

wise.

Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or

similar applications where product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any

military or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions

may apply.

For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

All brand names, trademarks and registered trademarks belong to their respective owners.

- 1 -

12 3 4 5 6 7...24

中文翻译

下载PDF

与K4H560838N-LCB3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H560838N-LCB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND
K4H560838N-LCCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66
K4H560838N-LCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND
K4H560838N-LLB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND
K4H560838N-LLCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66
K4H561638A-TCA0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H561638A-TCA2	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H561638A-TCB0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H561638A-TLA0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H561638A-TLA2	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM

与K4H560838N-LCB3相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

5
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

5
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

6
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4H560838N-LCB3

K4H560838N-LCB3 技术参数

K4H560838N-LCB3 数据手册

与K4H560838N-LCB3相关器件

与K4H560838N-LCB3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4H560838N-LCB3

K4H560838N-LCB3 技术参数

K4H560838N-LCB3 数据手册

与K4H560838N-LCB3相关器件

与K4H560838N-LCB3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？