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K4H560838E-TCB3

更新时间： 2024-01-29 17:45:02

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管电子动态存储器双倍数据速率时钟
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II

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K4H560838E-TCB3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46	针数：	66
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4H560838E-TCB3 数据手册

DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8)

DDR SDRAM

256Mb E-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II

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Rev. 1.3 April. 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4H560838E-TCB3T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66
K4H560838E-TLA0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H560838E-TLA2	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H560838E-TLA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H560838E-TLA2T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H560838E-TLAA	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II
K4H560838E-TLAA0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H560838E-TLB0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H560838E-TLB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

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