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K4H560438D-GLB0

更新时间: 2024-02-20 01:07:53
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三星 - SAMSUNG 双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
26页 291K
描述
DDR 256Mb

K4H560438D-GLB0 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数:60Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.92访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.75 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B60
JESD-609代码:e0长度:15.1 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:60
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA封装等效代码:BGA60,9X12,40/32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.05 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.003 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.25 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8.1 mm
Base Number Matches:1

K4H560438D-GLB0 数据手册

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256Mb  
DDR SDRAM  
Package Dimension  
8.00  
± 0.10  
0.80 x 8 = 6.40  
ENCAPSULANT AREA  
0.80 x 4 = 3.20  
0.80 x 2 = 1.60  
0.80 x 2 = 1.60  
8.0 0± 0.10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0.80  
A
B
C
D
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G
H
J
K
L
M
(0.90)  
(0.90)  
0.35  
± 0.05  
60 - 0.45  
±
0.05  
π
(1.80)  
TOP VIEW  
1.10± 0.10  
BOTTOM VIEW  
Organization  
64Mx4  
Column Address  
A0-A9, A11  
A0-A9  
32Mx8  
16Mx16  
A0-A8  
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.  
Column address configuration  
Rev. 2.2 Mar. ’03  
- 2 -  

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