Datasheet > K4H560438D-GLB0

K4H560438D-GLB0

更新时间： 2024-02-12 11:50:54

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
26页	291K
描述
DDR 256Mb

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4H560438D-GLB0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e0	长度：	15.1 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TBGA	封装等效代码：	BGA60,9X12,40/32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.05 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8.1 mm
Base Number Matches：	1

K4H560438D-GLB0 数据手册

K4H561638D

DDR SDRAM

AC Operating Test Conditions

(VDD=2.5V, VDDQ=2.5V, TA= 0 to 70°C)

Parameter

Input reference voltage for Clock

Input signal maximum peak swing

Input signal minimum slew rate (for imput only)

Input slew rate (I/O pins)

Value

Unit

Note

0.5 * VDDQ

1.5

0.5

V/ns

0.5

VREF+0.31/VREF-0.31

VREF

Input Levels(VIH/VIL)

Input timing measurement reference level

Output timing measurement reference level

Output load condition

Vtt

See Load Circuit

Vtt=0.5*VDDQ

RT=50Ω

Output

Z0=50Ω

CLOAD=30pF

VREF

=0.5*VDDQ

Output Load Circuit (SSTL_2)

Input/Output Capacitance

(VDD=2.5, VDDQ=2.5V, TA= 25°C, f=1MHz)

Parameter

Symbol

Min

Max

Delta Cap(max)

Unit

Input capacitance

(A0 ~ A12, BA0 ~ BA1, CKE, CS, RAS,CAS, WE)

CIN1

1.5

3.5

0.5

Input capacitance( CK, CK )

Data & DQS input/output capacitance

Input capacitance(DM)

CIN2

COUT

CIN3

1.5

3.5

5.5

0.25

0.5

Rev. 2.2 Mar. ’03

- 26 -

1...23 24 2526

下载PDF

与K4H560438D-GLB0相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K4H560438D-GLB3	SAMSUNG	DDR 256Mb	获取价格
K4H560438D-NC	SAMSUNG	256Mb sTSOPII	获取价格
K4H560438D-NC/LA0	SAMSUNG	256Mb sTSOPII	获取价格
K4H560438D-NC/LA2	SAMSUNG	256Mb sTSOPII	获取价格
K4H560438D-NC/LB0	SAMSUNG	256Mb sTSOPII	获取价格
K4H560438D-NC/LB3	SAMSUNG	256Mb sTSOPII	获取价格