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K4H560438D-TCA0

更新时间： 2024-01-17 08:44:40

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
53页	669K
描述
128Mb DDR SDRAM

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K4H560438D-TCA0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.8 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K4H560438D-TCA0 数据手册

128Mb DDR SDRAM

DDR SDRAM Specification

Version 1.0

- 1 -

REV. 1.0 November. 2. 2000

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与K4H560438D-TCA0相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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K4H560438D-TCA2	SAMSUNG	128Mb DDR SDRAM	获取价格
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