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K4H560438D-GLA20

更新时间: 2024-01-31 16:31:52
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
26页 291K
描述
DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60

K4H560438D-GLA20 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TBGA,针数:60
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.29
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PBGA-B60
长度:14 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:60字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64MX4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM宽度:8 mm
Base Number Matches:1

K4H560438D-GLA20 数据手册

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256Mb  
DDR SDRAM  
Block Diagram (4Mbit x 16 I/O x 4 Banks)  
LWE  
16  
LDM  
CK, CK  
Data Input Register  
Serial to parallel  
Bank Select  
32  
2Mx32  
2Mx32  
2Mx32  
2Mx32  
32  
16  
x16  
DQi  
ADD  
Column Decoder  
Latency & Burst Length  
Data Strobe  
Programming Register  
LWCBR  
LCKE  
LRAS LCBR  
LWE  
LCAS  
CK, CK  
Timing Register  
CK, CK  
CKE  
CS  
RAS  
CAS  
WE  
Rev. 2.2 Mar. ’03  
- 6 -  

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