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K4H560438D-GLB0

更新时间： 2024-01-14 13:26:05

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三星 - SAMSUNG		双倍数据速率
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26页	291K
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DDR 256Mb

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K4H560438D-GLB0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e0	长度：	15.1 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TBGA	封装等效代码：	BGA60,9X12,40/32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.05 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8.1 mm
Base Number Matches：	1

K4H560438D-GLB0 数据手册

256Mb

DDR SDRAM

Key Features

• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

• Bidirectional data strobe(DQS)

• Four banks operation

• Differential clock inputs(CK and CK)

• DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

• MRS cycle with address key programs

-. Read latency 2, 2.5 (clock)

-. Burst length (2, 4, 8)

-. Burst type (sequential & interleave)

• All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)

• Data I/O transactions on both edges of data strobe

• Edge aligned data output, center aligned data input

• LDM,UDM/DM for write masking only

• Auto & Self refresh

• 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)

• Maximum burst refresh cycle : 8

• 60 Ball FBGA package

ORDERING INFORMATION

Part No.

Org.

Max Freq.

Interface

Package

K4H560438D-GC(L)B3

K4H560438D-GC(L)A2

K4H560438D-GC(L)B0

K4H560838D-GC(L)B3

K4H560838D-GC(L)A2

K4H560838D-GC(L)B0

K4H561638D-GC(L)B3

K4H561638D-GC(L)A2

K4H561638D-GC(L)B0

B3(DDR333@CL=2.5)

A2(DDR266@CL=2)

B0(DDR266@CL=2.5)

B3(DDR333@CL=2.5)

A2(DDR266@CL=2)

B0(DDR266@CL=2.5)

B3(DDR333@CL=2.5)

A2(DDR266@CL=2)

B0(DDR266@CL=2.5)

64M x 4

SSTL2

60 ball FBGA

32M x 8

SSTL2

60 ball FBGA

16M x 16

Operating Frequencies

- B3(DDR333)

133MHz

- A2(DDR266A)

- B0(DDR266B)

100MHz

Speed @CL2

133MHz

Speed @CL2.5

166MHz

133MHz

*CL : Cas Latency

Rev. 2.2 Mar. ’03

- 1 -

12 3 4 5 6 7...26

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