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K4H511638D-ULCCT

更新时间： 2024-11-15 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	369K
描述
Cache DRAM Module, 32MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66

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K4H511638D-ULCCT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.65 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e3
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	CACHE DRAM MODULE
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
端子数量：	66	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.6 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.4 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4H511638D-ULCCT 数据手册

K4H510438D

K4H510838D

K4H511638D

DDR SDRAM

512Mb D-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II with Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.2 January 2006

12 3 4 5 6 7...24

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H511638D-UPB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H511638D-ZCB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60
K4H511638D-ZCB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H511638D-ZCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H511638D-ZIB0T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60
K4H511638D-ZIB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60
K4H511638D-ZLB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60
K4H511638D-ZLCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H511638D-ZPB3T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60
K4H511638E-TCA0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM

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