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K4H511638D-ZCCC0

更新时间： 2024-11-15 14:51:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	393K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

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K4H511638D-ZCCC0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TBGA,
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.41	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.65 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e1
长度：	12 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

K4H511638D-ZCCC0 数据手册

K4H510438D

K4H510838D

K4H511638D

DDR SDRAM

512Mb D-die DDR SDRAM Specification

60 FBGA with Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.1 January 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4H511638D-ZLCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
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