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K4H511638C-ZLCC0

更新时间: 2024-01-19 18:51:49
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 393K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

K4H511638C-ZLCC0 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA60,9X12,40/32
针数:60Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.34Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.65 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B60JESD-609代码:e1
长度:12 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:2功能数量:1
端口数量:1端子数量:60
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA60,9X12,40/32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260电源:2.6 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.005 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.4 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.6 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:10 mm
Base Number Matches:1

K4H511638C-ZLCC0 数据手册

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K4H510438C  
K4H510838C  
K4H511638C  
DDR SDRAM  
4.0 Ball Description (Top View)  
128M x 4  
9
8
7
VDDQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
VSSQ VDDQ VSSQ VDDQ VDD  
DQ0  
B
CAS  
WE  
G
CS  
RAS  
H
BA0 A10/AP  
A1  
A2  
L
A3  
VDD  
M
VDD  
A
NC  
C
DQ1  
D
NC  
E
NC  
F
BA1  
J
A0  
K
3
2
1
VSS  
NC  
VSSQ  
DQ3  
NC  
DQ2  
DQS  
DM  
VSS  
VREF  
CK  
CK  
CKE  
A12  
A9  
A11  
A7  
A8  
A5  
A6  
VSS  
A4  
VDDQ VSSQ VDDQ VSSQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
64M x 8  
9
8
7
VDDQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
DQ0  
VDD  
A
VSSQ VDDQ VSSQ VDDQ VDD  
DQ1  
B
CAS  
WE  
G
CS  
RAS  
H
BA0 A10/AP  
A1  
A2  
L
A3  
VDD  
M
DQ2  
C
DQ3  
D
NC  
E
NC  
F
BA1  
J
A0  
K
3
2
1
VSS  
DQ7  
VSSQ  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQS  
DM  
VSS  
VREF  
CK  
CK  
CKE  
A12  
A9  
A11  
A7  
A8  
A5  
A6  
VSS  
A4  
VDDQ VSSQ VDDQ VSSQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
32M x 16  
9
8
7
VDDQ  
DQ0  
VDD  
A
DQ1  
DQ3  
DQ5  
DQ7  
NC  
VSSQ VDDQ VSSQ VDDQ VDD  
DQ2  
B
CAS  
WE  
G
CS  
RAS  
H
BA0 A10/AP  
A1  
A2  
L
A3  
VDD  
M
DQ4  
C
DQ6  
D
LDQS  
E
LDM  
F
BA1  
J
A0  
K
3
2
1
VSS  
DQ13 DQ11  
DQ9  
UDQS UDM  
CK  
CK  
CKE  
A12  
A9  
A11  
A7  
A8  
A5  
A6  
VSS  
A4  
DQ15 VDDQ VSSQ VDDQ VSSQ  
VSSQ DQ14 DQ12 DQ10  
VSS  
DQ8  
VREF  
Organization  
128Mx4  
Row Address  
A0~A12  
Column Address  
A0-A9, A11, A12  
A0-A9, A11  
64Mx8  
A0~A12  
32Mx16  
A0~A12  
A0-A9  
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.  
Row & Column address configuration  
Rev. 1.3 January 2006  

与K4H511638C-ZLCC0相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K4H511638C-ZLCCT SAMSUNG DDR DRAM, 32MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60

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K4H511638C-ZPB00 SAMSUNG DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

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K4H511638C-ZPB0T SAMSUNG Cache DRAM Module, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60

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K4H511638C-ZPB30 SAMSUNG DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

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K4H511638D SAMSUNG 512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)

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K4H511638D-KLB3 SAMSUNG DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-

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