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K4H510838B-NCC40

更新时间： 2024-11-14 21:12:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	156K
描述
DDR DRAM, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, TSOP2-54

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K4H510838B-NCC40 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSSOP,
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.91	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.65 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	长度：	11.2 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.4 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

DDR SDRAM 512Mb B-die (x8)

DDR SDRAM

512Mb B-die DDR400 SDRAM Specification

sTSOP(II)

(400mil x 441mil)

Revision 1.1

Rev. 1.1 November 2004

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H510838B-NCCC	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO54
K4H510838B-NLB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54
K4H510838B-TC/LA2	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR SDRAM Specification
K4H510838B-TC/LB0	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR SDRAM Specification
K4H510838B-TC/LB3	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR SDRAM Specification
K4H510838B-TC/LCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR SDRAM Specification
K4H510838B-TCA0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H510838B-TCA2	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H510838B-TCA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H510838B-TCB0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM