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K4H281638B-TCB0T

更新时间: 2024-11-24 13:09:03
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三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
53页 669K
描述
DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66

K4H281638B-TCB0T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP, TSSOP66,.46Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:0.75 ns
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G66
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16端子数量:66
字数:8388608 words字数代码:8000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.03 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.4 mA
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.635 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

K4H281638B-TCB0T 数据手册

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- 1 -  
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