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K4H1G0438A-UCB00

更新时间： 2024-11-12 20:52:39

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	367K
描述
DDR DRAM, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

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K4H1G0438A-UCB00 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e6	长度：	22.22 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.015 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.23 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K4H1G0438A-UCB00 数据手册

K4H1G0438A

K4H1G0838A

DDR SDRAM

1Gb A-die SDRAM Specification

66 TSOP-II with Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

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applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.1 January 2007

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K4H1G0438AUCB3000	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
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