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K4F661612E-TI50 PDF预览

K4F661612E-TI50

更新时间： 2024-11-12 14:51:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 381K
描述
Fast Page DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

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K4F661612E-TI50 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP50,.46,32
针数：50Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.91Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G50长度：20.95 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：50
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP50,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.0005 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K4F661612E-TI50 数据手册

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Industrial Temperature  
K4F661612E,K4F641612E  
CMOS DRAM  
4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode  
DESCRIPTION  
This is a family of 4,194,304 x 16 bit Fast Page Mode CMOS DRAMs. Fast Page Mode offers high speed random access of memory  
cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power)  
are optional features of this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS -only refresh and Hidden refresh capabilities.  
Furthermore, Self-refresh operation is available in L-version. This 4Mx16 Fast Page Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢s  
advanced CMOS process to realize high band-width, low power consumption and high reliability.  
FEATURES  
• Fast Page Mode operation  
• Part Identification  
• 2CAS Byte/Word Read/Write operation  
• CAS-before-RAS refresh capability  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Self-refresh capability (L-ver only)  
• Fast parallel test mode capability  
• LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
- K4F661612E-TI/P(3.3V, 8K Ref.)  
- K4F641612E-TI/P(3.3V, 4K Ref.)  
• ActivePowerDissipation  
Unit : mW  
Speed  
-45  
8K  
4K  
• Available in Plastic TSOP(II) packages  
• +3.3V ±0.3V power supply  
324  
288  
252  
468  
432  
396  
-50  
•
Industrial Temperature operating ( -40~85°C )  
-60  
• Refresh Cycles  
Part  
NO.  
Refresh  
cycle  
Refresh time  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Normal  
64ms  
L-ver  
K4F661612E*  
K4F641612E  
8K  
4K  
RAS  
UCAS  
LCAS  
W
128ms  
Vcc  
Control  
Vss  
Clocks  
VBB Generator  
* Access mode & RAS only refresh mode  
: 8K cycle/64ms(Normal), 8K cycle/128ms(L-ver.)  
CAS -before-RAS & Hidden refresh mode  
Lower  
Data in  
Buffer  
DQ0  
to  
DQ7  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
Lower  
Data out  
Buffer  
: 4K cycle/64ms(Normal), 4K cycle/128ms(L-ver.)  
Memory Array  
4,194,304 x 16  
Cells  
OE  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
Upper  
Data in  
Buffer  
• Performance Range  
DQ8  
to  
DQ15  
Speed  
-45  
tRAC  
45ns  
50ns  
60ns  
tCAC  
12ns  
13ns  
15ns  
tRC  
80ns  
90ns  
110ns  
tPC  
A0~A12  
(A0~A11)*1  
Upper  
Data out  
Buffer  
31ns  
35ns  
40ns  
A0~A8  
(A0~A9)*1  
Column Decoder  
-50  
-60  
Note) *1 : 4K Refresh  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...35

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与K4F661612E-TI50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4F661612E-TI60 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
K4F661612E-TL45 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
K4F661612E-TL50 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
K4F661612E-TL60 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
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 		Fast Page DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50,
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