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K4F640412D-JL45

更新时间： 2024-01-07 03:09:04
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 367K
描述
Fast Page DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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K4F640412D-JL45 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：45 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J32JESD-609代码：e0
长度：20.96 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：4
功能数量：1端口数量：1
端子数量：32字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ32,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096座面最大高度：3.76 mm
自我刷新：YES最大待机电流：0.0002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K4F640412D-JL45 数据手册

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K4F660412D,K4F640412D  
CMOS DRAM  
CAPACITANCE (TA=25°C, VCC=3.3V, f=1MHz)  
Parameter  
Input capacitance [A0 ~ A12]  
Symbol  
CIN1  
Min  
Max  
Units  
pF  
-
-
-
5
7
7
Input capacitance [RAS, CAS, W, OE]  
Output capacitance [DQ0 - DQ3]  
CIN2  
pF  
CDQ  
pF  
AC CHARACTERISTICS (0°C£TA£70°C, See note 2)  
Test condition : VCC=3.3V±0.3V, Vih/Vil=2.2/0.7V, Voh/Vol=2.0/0.8V  
-45  
-50  
-60  
Parameter  
Symbol  
Units  
Note  
Min  
80  
Max  
Min  
Max  
Min  
110  
153  
Max  
Random read or write cycle time  
Read-modify-write cycle time  
Access time from RAS  
90  
tRC  
ns  
ns  
115  
133  
tRWC  
tRAC  
tCAC  
tAA  
45  
12  
23  
50  
13  
25  
60  
15  
30  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
3,4,10  
3,4,5  
3,10  
3
Access time from CAS  
Access time from column address  
CAS to output in Low-Z  
0
0
0
0
tCLZ  
tOFF  
tT  
Output buffer turn-off delay  
Transition time (rise and fall)  
RAS precharge time  
13  
50  
0
13  
50  
0
13  
50  
6
1
1
1
2
25  
45  
12  
45  
12  
18  
13  
5
30  
50  
13  
50  
13  
20  
15  
5
40  
60  
15  
60  
15  
20  
15  
5
tRP  
RAS pulse width  
10K  
10K  
10K  
tRAS  
tRSH  
tCSH  
tCAS  
tRCD  
tRAD  
tCRP  
tASR  
tRAH  
tASC  
tCAH  
tRAL  
tRCS  
tRCH  
tRRH  
tWCH  
tWP  
RAS hold time  
CAS hold time  
CAS pulse width  
10K  
33  
10K  
37  
10K  
45  
RAS to CAS delay time  
4
RAS to column address delay time  
CAS to RAS precharge time  
Row address set-up time  
Row address hold time  
22  
25  
30  
10  
0
0
0
8
10  
0
10  
0
Column address set-up time  
Column address hold time  
Column address to RAS lead time  
Read command set-up time  
Read command hold time referenced to CAS  
Read command hold time referenced to RAS  
Write command hold time  
Write command pulse width  
Write command to RAS lead time  
Write command to CAS lead time  
Data set-up time  
0
8
10  
25  
0
10  
30  
0
23  
0
0
0
0
8
8
0
0
0
8
10  
10  
15  
13  
0
10  
10  
15  
15  
0
8
13  
12  
0
tRWL  
tCWL  
tDS  
9
9
Data hold time  
10  
10  
10  
tDH  
12345678...20

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