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K4F640412D-JL45 PDF预览

K4F640412D-JL45

更新时间： 2024-02-13 22:30:14
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 367K
描述
Fast Page DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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K4F640412D-JL45 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：45 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J32JESD-609代码：e0
长度：20.96 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：4
功能数量：1端口数量：1
端子数量：32字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ32,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096座面最大高度：3.76 mm
自我刷新：YES最大待机电流：0.0002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K4F640412D-JL45 数据手册

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K4F660412D,K4F640412D  
CMOS DRAM  
AC CHARACTERISTICS (Continued)  
-45  
-50  
-60  
Parameter  
Symbol  
Units  
Note  
Min  
Max  
64  
Min  
Max  
64  
Min  
Max  
64  
Refresh period (Normal)  
ms  
ms  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
us  
ns  
ns  
tREF  
Refresh period (L-ver)  
128  
128  
128  
tREF  
Write command set-up time  
0
0
0
7
7
7
7
tWCS  
tCWD  
tRWD  
tAWD  
tCPWD  
tCSR  
tCHR  
tRPC  
tCPA  
tPC  
CAS to W delay time  
32  
67  
43  
48  
5
36  
73  
48  
53  
5
38  
83  
53  
60  
5
RAS to W delay time  
Column address to W delay time  
CAS precharge W delay time  
CAS set-up time (CAS -before-RAS refresh)  
CAS hold time (CAS -before-RAS refresh)  
RAS to CAS precharge time  
10  
5
10  
5
10  
5
Access time from CAS precharge  
Fast Page mode cycle time  
26  
30  
35  
3
31  
70  
9
35  
76  
10  
50  
30  
40  
85  
10  
60  
35  
Fast Page mode read-modify-write cycle time  
CAS precharge time (Fast page cycle)  
RAS pulse width (Fast page cycle)  
RAS hold time from CAS precharge  
OE access time  
tPRWC  
tCP  
45  
28  
200K  
12  
200K  
13  
200K  
15  
tRASP  
tRHCP  
tOEA  
tOED  
tOEZ  
tOEH  
tWTS  
tWTH  
tWRP  
tWRH  
tRASS  
tRPS  
tCHS  
3
6
OE to data delay  
12  
0
13  
0
13  
0
Output buffer turn off delay time from OE  
OE command hold time  
13  
13  
13  
12  
10  
15  
10  
10  
100  
80  
-50  
13  
10  
15  
10  
10  
100  
90  
-50  
15  
Write command set-up time (Test mode in)  
Write command hold time (Test mode in)  
W to RAS precharge time (C-B-R refresh)  
W to RAS hold time (C-B-R refresh)  
RAS pulse width (C-B-R self refresh)  
RAS precharge time (C-B-R self refresh)  
CAS hold time (C-B-R self refresh)  
10  
11  
11  
15  
10  
10  
100  
110  
-50  
13,14,15  
13,14,15  
13,14,15  
1...3456789...20

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与K4F640412D-JL45相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K4F640412D-JL60 SAMSUNG Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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K4F640412D-JP450 SAMSUNG Fast Page DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32,

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