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K4F640411D-TC60 PDF预览

K4F640411D-TC60

更新时间： 2024-11-05 14:51:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 367K
描述
Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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K4F640411D-TC60 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP32,.46
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
长度：20.95 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：4
功能数量：1端口数量：1
端子数量：32字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP32,.46封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K4F640411D-TC60 数据手册

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K4F660411D,K4F640411D  
CMOS DRAM  
16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode  
DESCRIPTION  
This is a family of 16,777,216 x 4 bit Fast Page Mode CMOS DRAMs. Fast Page Mode offers high speed random access of memory  
cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time(-50 or -60), package type(SOJ or TSOP-II) are optional fea-  
tures of this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. This 16Mx4 Fast  
Page Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power consumption  
and high reliability.  
FEATURES  
• Fast Page Mode operation  
• Part Identification  
- K4F660411D-JC(5.0V, 8K Ref.)  
- K4F640411D-JC(5.0V, 4K Ref.)  
- K4F660411D-TC(5.0V, 8K Ref.)  
- K4F640411D-TC(5.0V, 4K Ref.)  
• CAS-before-RAS refresh capability  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Fast parallel test mode capability  
• TTL(5.0V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
• Active Power Dissipation  
• Available in Plastic SOJ and TSOP(II) packages  
• +5.0V±10% power supply  
Unit : mW  
Speed  
-50  
8K  
4K  
660  
605  
495  
440  
-60  
• Refresh Cycles  
Part  
NO.  
Refresh  
cycle  
Refresh time  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Normal  
64ms  
K4F660411D*  
K4F640411D  
8K  
4K  
RAS  
CAS  
W
Vcc  
Vss  
Control  
Clocks  
VBB Generator  
* Access mode & RAS only refresh mode  
: 8K cycle/64ms  
CAS-before-RAS & Hidden refresh mode  
: 4K cycle/64ms  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
Data in  
Buffer  
Memory Array  
16,777,216 x 4  
Cells  
DQ0  
to  
DQ3  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
• Performance Range  
Speed  
Data out  
Buffer  
tRAC  
50ns  
60ns  
tCAC  
13ns  
15ns  
tRC  
tPC  
A0~A12  
(A0~A11)*1  
OE  
-50  
-60  
90ns  
110ns  
35ns  
40ns  
A0~A10  
(A0~A11)*1  
Column Decoder  
Note) *1 : 4K Refresh  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4F640411D-TC600 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
K4F640411D-TC60T SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32
K4F640412B-JC45 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
K4F640412B-JC450 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
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 		Fast Page DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
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 		Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
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