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K4E661612D-TP45

更新时间： 2024-02-12 16:17:44

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
36页	397K
描述
EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

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K4E661612D-TP45 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP50,.46,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	最长访问时间：	45 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G50
JESD-609代码：	e0	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	50	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.0002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.13 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4E661612D-TP45 数据手册

Industrial Temperature

K4E661612D,K4E641612D

CMOS DRAM

4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRI PT I O N

T h i s i s

a f a m i l y o f 4 , 1 9 4 , 3 0 4 x 1 6 b i t E x t e n d e d D a t a O u t M o d e C M O S D R A M s . E x t e n d e d D a t a O u t M o d e o f f e r s h i g h s p e e d r a n d o m

a c c e s s o f m e m o r y c e l l s w i t h i n t h e s a m e r o w . R e f r e s h c y c l e ( 4 K R e f . o r 8 K R e f . ) , a c c e s s t i m e ( - 4 5 , - 5 0 o r - 6 0 ) , p o w e r c o n s u m p t i o n ( N o r -

m a l o r L o w p o w e r ) a r e o p t i o n a l f e a t u r e s o f t h i s f a m i l y . A l l o f t h i s f a m i l y h a v e C A S - b e f o r e - R A S r e f r e s h , R A S - o n l y r e f r e s h a n d H i d d e n

r e f r e s h c a p a b i l i t i e s . F u r t h e r m o r e , S e l f - r e f r e s h o p e r a t i o n i s a v a i l a b l e i n L - v e r s i o n . T h i s 4 M x 1 6 E D O M o d e D R A M f a m i l y i s f a b r i c a t e d

u s i n g S a m s u n g ¢s a d v a n c e d C M O S p r o c e s s t o r e a l i z e h i g h b a n d - w i d t h , l o w p o w e r c o n s u m p t i o n a n d h i g h r e l i a b i l i t y .

F E A T U R E S

•

E x t e n d e d D a t a O u t M o d e o p e r a t i o n

C A S B y t e / W o r d R e a d / W r i t e o p e r a t i o n

•

Part Identification

K 4 E 6 6 1 6 1 2 D - T I / P ( 3 . 3 V , 8 K R e f . )

K 4 E 6 4 1 6 1 2 D - T I / P ( 3 . 3 V , 4 K R e f . )

C A S - b e f o r e - R A S r e f r e s h c a p a b i l i t y

R A S - o n l y a n d H i d d e n r e f r e s h c a p a b i l i t y

F a s t p a r a l l e l t e s t m o d e c a p a b i l i t y

S e l f - r e f r e s h c a p a b i l i t y ( L - v e r o n l y )

L V T T L ( 3 . 3 V ) c o m p a t i b l e i n p u t s a n d o u t p u t s

E a r l y W r i t e o r o u t p u t e n a b l e c o n t r o l l e d w r i t e

J E D E C S t a n d a r d p i n o u t

•

Active Power Dissipation

U n i t : m W

4 K

S p e e d

- 4 5

8 K

A v a i l a b l e i n P l a s t i c T S O P ( I I ) p a c k a g e s

+ 3 . 3 V ±0 . 3 V p o w e r s u p p l y

3 2 4

2 8 8

2 5 2

4 6 8

- 5 0

4 3 2

I n d u s t r i a l T e m p e r a t u r e o p e r a t i n g ( - 4 0 ~ 8 5°C

)

- 6 0

3 9 6

•

Refresh Cycles

F U N C T I O N A L B L O C K D I A G R A M

P a r t

N O .

R e f r e s h

cycle

R e f r e s h t i m e

N o r m a l

6 4 m s

L - v e r

R A S

UCAS

LCAS

K 4 E 6 6 1 6 1 2 D *

K 4 E 6 4 1 6 1 2 D

8 K

4 K

Vcc

1 2 8 m s

Control

Vss

Clocks

VBB Generator

A c c e s s m o d e & R A S o n l y r e f r e s h m o d e

8 K c y c l e / 6 4 m s ( N o r m a l ) , 8 K c y c l e / 1 2 8 m s ( L - v e r . )

C A S - b e f o r e -R A S H i d d e n r e f r e s h m o d e

4 K c y c l e / 6 4 m s ( N o r m a l ) , 4 K c y c l e / 1 2 8 m s ( L - v e r . )

Lower

Data in

Buffer

D Q 0

Row Decoder

Refresh Timer

Refresh Control

D Q 7

Lower

Data out

Buffer

Memory Array

4,194,304 x 16

Cells

O E

Refresh Counter

Row Address Buffer

Col. Address Buffer

Upper

Data in

Buffer

•

Performance Range

D Q8

S p e e d

- 4 5

tRAC

4 5 n s

5 0 n s

6 0 n s

tCAC

1 2 n s

1 3 n s

1 5 n s

tRC

tHPC

1 7 n s

2 0 n s

2 5 n s

A0~A12

(A0~A11)*1

Upper

Data out

Buffer

D Q 1 5

7 4 n s

8 4 n s

1 0 4 n s

A0~A8

Column Decoder

(A0~A9)*1

- 5 0

- 6 0

Note) *1

: 4K Refresh

S A M S U N G E L E C T R O N I C S C O . , L T D . reserves the right to

c h a n g e p r o d u c t s a n d s p e c i f i c a t i o n s w i t h o u t n o t i c e .

12 3 4 5 6 7...36

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4E661612D-TP450	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4E661612D-TP45T	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50
K4E661612D-TP50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
K4E661612D-TP500	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50
K4E661612D-TP50T	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50
K4E661612D-TP60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
K4E661612D-TP600	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50
K4E661612E-TI450	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50
K4E661612E-TI500	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50
K4E661612E-TI50T	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50

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