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K4E660812C-TC45 PDF预览

K4E660812C-TC45

更新时间： 2024-01-21 21:45:19
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 416K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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K4E660812C-TC45 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2,
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：45 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-G32长度：20.95 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：32
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K4E660812C-TC45 数据手册

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K4E660812C,K4E640812C  
CMOS DRAM  
CAPACITANCE (TA=25°C, VCC=3.3V, f=1MHz)  
Parameter  
Input capacitance [A0 ~ A12]  
Symbol  
CIN1  
Min  
Max  
Units  
pF  
-
-
-
5
7
7
Input capacitance [RAS, CAS, W, OE]  
Output capacitance [DQ0 - DQ7]  
CIN2  
pF  
CDQ  
pF  
AC CHARACTERISTICS (0°C£TA£70°C, See note 2)  
Test condition : VCC=3.3V±0.3V, Vih/Vil=2.2/0.7V, Voh/Vol=2.0/0.8V  
-45  
-50  
-60  
Parameter  
Symbol  
Units  
Note  
Min  
74  
Max  
Min  
Max  
Min  
104  
138  
Max  
Random read or write cycle time  
Read-modify-write cycle time  
Access time from RAS  
84  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tRC  
101  
113  
tRWC  
tRAC  
tCAC  
tAA  
45  
12  
23  
50  
13  
25  
60  
15  
30  
3,4,10  
3,4,5  
3,10  
3
Access time from CAS  
Access time from column address  
CAS to output in Low-Z  
3
3
3
3
3
3
tCLZ  
tCEZ  
tOLZ  
tT  
Output buffer turn-off delay from CAS  
OE to output in Low-Z  
13  
50  
13  
50  
13  
50  
6,13  
3
3
3
3
Transition time (rise and fall)  
RAS precharge time  
1
1
1
2
25  
45  
8
30  
50  
8
40  
60  
10  
40  
10  
14  
12  
5
tRP  
RAS pulse width  
10K  
10K  
10K  
tRAS  
tRSH  
tCSH  
tCAS  
tRCD  
tRAD  
tCRP  
tASR  
tRAH  
tASC  
tCAH  
tRAL  
tRCS  
tRCH  
tRRH  
tWCH  
tWP  
RAS hold time  
CAS hold time  
35  
7
38  
8
CAS pulse width  
5K  
33  
22  
10K  
37  
10K  
45  
14  
4
RAS to CAS delay time  
11  
9
11  
9
RAS to column address delay time  
CAS to RAS precharge time  
Row address set-up time  
Row address hold time  
25  
30  
10  
5
5
0
0
0
7
7
10  
0
Column address set-up time  
Column address hold time  
Column address to RAS lead time  
Read command set-up time  
Read command hold time referenced to CAS  
Read command hold time referenced to RAS  
Write command hold time  
Write command pulse width  
Write command to RAS lead time  
Write command to CAS lead time  
Data set-up time  
0
0
7
7
10  
30  
0
23  
0
25  
0
0
0
0
8
8
0
0
0
7
7
10  
10  
10  
10  
0
6
7
8
8
tRWL  
tCWL  
tDS  
7
7
0
0
9
12345678...21

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K4E660812C-TC50 SAMSUNG EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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K4E660812C-TC600 SAMSUNG EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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