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K4E660812C-TC45

更新时间： 2024-01-17 11:49:32

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	416K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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K4E660812C-TC45 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2,
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	45 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	长度：	20.95 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4E660812C-TC45 数据手册

K4E660812C,K4E640812C

CMOS DRAM

PIN CONFIGURATION (Top Views)

• K4E660812C-T

• K4E640812C-T

• K4E660812C-J

• K4E640812C-J

VCC

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

N.C

VCC

32 VSS

VCC

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

N.C

VCC

RAS

VSS

31 DQ7

30 DQ6

29 DQ5

28 DQ4

27 VSS

26 CAS

25 OE

24 A12(N.C)*

23 A11

22 A10

21 A9

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

VSS

CAS

A12(N.C)*

A11

A10

RAS

A0 10

A1 11

A2 12

A3 13

A4 14

A5 15

VCC 16

20 A8

19 A7

18 A6

17 VSS

VSS

VCC

(J : 400mil SOJ)

(T : 400mil TSOP(II))

* (N.C) : N.C for 4K Refresh product

Pin Name

A0 - A12

A0 - A11

DQ0 - 7

VSS

Pin Function

Address Inputs(8K Product)

Address Inputs(4K Product)

Data In/Out

Ground

RAS

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Read/Write Input

Data Output Enable

Power(+3.3V)

CAS

VCC

N.C

No Connection

123 4 5 6 7...21

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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