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K4E660812C-TC45

更新时间： 2024-01-05 23:00:16
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 416K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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K4E660812C-TC45 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2,
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：45 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-G32长度：20.95 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：32
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K4E660812C-TC45 数据手册

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K4E660812C,K4E640812C  
AC CHARACTERISTICS (Continued)  
Parameter  
CMOS DRAM  
-45  
-50  
-60  
Symbol  
Units  
Note  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Data hold time  
7
7
10  
ns  
ms  
ms  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
us  
ns  
ns  
9
tDH  
Refresh period (Normal)  
64  
64  
64  
tREF  
Refresh period (L-ver)  
128  
128  
128  
tREF  
Write command set-up time  
0
0
0
7
7
7
7
tWCS  
tCWD  
tRWD  
tAWD  
tCSR  
tCHR  
tRPC  
tCPA  
tHPC  
tHPRWC  
tCP  
CAS to W delay time  
24  
57  
35  
5
27  
64  
39  
5
32  
77  
47  
5
RAS to W delay time  
Column address to W delay time  
CAS set-up time (CAS -before-RAS refresh)  
CAS hold time (CAS -before-RAS refresh)  
RAS to CAS precharge time  
Access time from CAS precharge  
Hyper Page cycle time  
10  
5
10  
5
10  
5
24  
28  
35  
3
17  
47  
6.5  
45  
24  
20  
47  
7
25  
56  
10  
60  
35  
14  
14  
Hyper Page read-modify-write cycle time  
CAS precharge time (Hyper page cycle)  
RAS pulse width (Hyper page cycle)  
RAS hold time from CAS precharge  
OE access time  
200K  
12  
50  
30  
200K  
13  
200K  
15  
tRASP  
tRHCP  
tOEA  
tOED  
tCPWD  
tOEZ  
tOEH  
tWTS  
tWTH  
tWRP  
tWRH  
tDOH  
tREZ  
3
6
OE to data delay  
8
36  
3
10  
41  
3
13  
52  
3
CAS precharge to W delay time  
Output buffer turn off delay time from OE  
OE command hold time  
11  
13  
13  
5
5
5
Write command set-up time (Test mode in)  
Write command hold time (Test mode in)  
W to RAS precharge time (C-B-R refresh)  
W to RAS hold time (C-B-R refresh)  
Output data hold time  
10  
10  
10  
10  
4
10  
10  
10  
10  
5
10  
10  
10  
10  
5
11  
11  
Output buffer turn off delay from RAS  
Output buffer turn off delay from W  
W to data delay  
3
13  
13  
3
13  
13  
3
13  
13  
6,13  
6
3
3
3
tWEZ  
tWED  
tOCH  
tCHO  
tOEP  
tWPE  
tRASS  
tRPS  
tCHS  
8
15  
5
15  
5
OE to CAS hold time  
5
CAS hold time to OE  
5
5
5
OE precharge time  
5
5
5
W pulse width (Hyper Page Cycle)  
RAS pulse width (C-B-R self refresh)  
RAS precharge time (C-B-R self refresh)  
CAS hold time (C-B-R self refresh)  
5
5
5
100  
74  
-50  
100  
90  
-50  
100  
110  
-50  
15,16,17  
15,16,17  
15,16,17  
1...3456789...21

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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K4E660812C-TC600 SAMSUNG EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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