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K4E641612E-TP45

更新时间： 2023-03-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
36页 397K
描述
EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

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K4E641612E-TP45 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TSOP, TSOP50,.46,32Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83最长访问时间：45 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G50
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16端子数量：50
字数：4194304 words字数代码：4000000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP
封装等效代码：TSOP50,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
自我刷新：YES最大待机电流：0.0002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.13 mA
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

K4E641612E-TP45 数据手册

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Industrial Temperature  
K4E661612E,K4E641612E  
CMOS DRAM  
4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out  
DESCRIPTION  
This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random  
access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Nor-  
mal or Low power) are optional features of this family. All of this family have CAS -before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden  
refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh operation is available in L-version. This 4Mx16 EDO Mode DRAM family is fabricated  
using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power consumption and high reliability.  
FEATURES  
• Extended Data Out Mode operation  
• 2 CAS Byte/Word Read/Write operation  
• CAS-before-RAS refresh capability  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Fast parallel test mode capability  
•
Part Identification  
- K4E661612E-TI/P(3.3V, 8K Ref.)  
- K4E641612E-TI/P(3.3V, 4K Ref.)  
• Self-refresh capability (L-ver only)  
• LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
• Active Power Dissipation  
Unit : mW  
4K  
Speed  
-45  
8K  
• Available in Plastic TSOP(II) packages  
• +3.3V ±0.3V power supply  
324  
288  
252  
468  
-50  
432  
• Industrial Temperature operating ( -40~85°C )  
-60  
396  
• Refresh Cycles  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Part  
NO.  
Refresh  
cycle  
Refresh time  
Normal  
L-ver  
RAS  
UCAS  
LCAS  
W
K4E661612E*  
K4E641612E  
8K  
4K  
Vcc  
Vss  
64ms  
128ms  
Control  
Clocks  
VBB Generator  
* Access mode & RAS only refresh mode  
: 8K cycle/64ms(Normal), 8K cycle/128ms(L-ver.)  
CAS-before-RAS & Hidden refresh mode  
Lower  
Data in  
Buffer  
DQ0  
to  
DQ7  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
Lower  
Data out  
Buffer  
: 4K cycle/64ms(Normal), 4K cycle/128ms(L-ver.)  
Memory Array  
4,194,304 x 16  
Cells  
OE  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
Upper  
Data in  
Buffer  
• Performance Range  
DQ8  
to  
Speed  
-45  
tRAC  
45ns  
50ns  
60ns  
tCAC  
12ns  
13ns  
15ns  
tRC  
tHPC  
17ns  
20ns  
25ns  
A0~A12  
(A0~A11)*1  
Upper  
Data out  
Buffer  
DQ15  
74ns  
84ns  
104ns  
A0~A8  
(A0~A9)*1  
Column Decoder  
-50  
-60  
Note) *1 : 4K Refresh  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...36

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与K4E641612E-TP45相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4E641612E-TP450 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50,
K4E641612E-TP45T SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50,
K4E641612E-TP500 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50,
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 		EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50,
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 		EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50,
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 		EDO DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
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 		EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
K4E660411D SAMSUNG

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 		16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
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