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Datasheet > 存储 > DRAM> K4D28163HD-TC50
K4D28163HD-TC50 PDF预览

K4D28163HD-TC50

更新时间： 2024-01-29 13:51:15
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
16页 123K
描述
128Mbit DDR SDRAM

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K4D28163HD-TC50 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSSOP66,.46
针数：66Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.7 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：200 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：2,4,8JESD-30 代码：R-PDSO-G66
JESD-609代码：e0长度：22.22 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：DDR DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：66
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：65 °C
最低工作温度：组织：8MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSSOP66,.46
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：2.5,3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES连续突发长度：2,4,8
最大待机电流：0.005 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.31 mA最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K4D28163HD-TC50 数据手册

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128M DDR SDRAM  
K4D28163HD  
DC CHARACTERISTICS  
Recommended operating conditions Unless Otherwise Noted, TA=0 to 65°C)  
Version  
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Unit Note  
-36  
-40  
-50  
-60  
Burst Lenth=2 tRC ³ tRC(min)  
Operating Current  
(One Bank Active)  
ICC1  
200  
190  
170  
165  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
1
IOL=0mA, tCC= tCC(min)  
Precharge Standby Current  
in Power-down mode  
ICC2P  
ICC2N  
ICC3P  
ICC3N  
ICC4  
CKE £ VIL(max), tCC= tCC(min)  
5
CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min),  
Precharge Standby Current  
in Non Power-down mode  
70  
65  
90  
60  
75  
60  
70  
90  
tCC= tCC(min)  
Active Standby Current  
power-down mode  
100  
130  
CKE £ VIL(max), tCC= tCC(min)  
CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min),  
Active Standby Current in  
in Non Power-down mode  
120  
110  
tCC= tCC(min)  
Operating Current  
( Burst Mode)  
tRC ³ tRFC(min)tRC ³ tRFC(min)  
Page Burst, All Banks activated.  
380  
250  
350  
220  
310  
210  
280  
200  
Refresh Current  
ICC5  
ICC6  
mA  
mA  
tRC ³ tRFC(min)  
CKE £ 0.2V  
Self Refresh Current  
2
Note : 1. Measured with outputs open.  
AC INPUT OPERATING CONDITIONS  
Recommended operating conditions(Voltage referenced to VSS=0V, VDD=3.3V+ 5%, VDDQ=2.5V+ 5%,TA=0 to 65°C)  
Parameter  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Note  
Input High (Logic 1) Voltage; DQ  
VIH  
VREF+0.35  
-
-
V
Input Low (Logic 0) Voltage; DQ  
VIL  
VID  
VIX  
-
-
-
-
VREF-0.35  
VDDQ+0.6  
V
V
V
Clock Input Differential Voltage; CK and CK  
Clock Input Crossing Point Voltage; CK and CK  
0.7  
1
2
0.5*VDDQ-0.2  
0.5*VDDQ+0.2  
Note : 1. VID is the magnitude of the difference between the input level on CK and the input level on CK  
2. The value of VIX is expected to equal 0.5*VDDQ of the transmitting device and must track variations in the DC level of the same  
- 11 -  
Rev. 1.4(Aug. 2002)  
1...891011121314...16

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4D28163HD-TC60 SAMSUNG

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 		128Mbit DDR SDRAM
K4D551638D SAMSUNG

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 		256Mbit GDDR SDRAM
K4D551638D-LC2A0 SAMSUNG

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 		DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2
K4D551638D-LC2AT SAMSUNG

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 		DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66
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