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K4B1G0446D-HCF70

更新时间： 2024-09-26 05:59:19

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
60页	1199K
描述
DDR DRAM, 256MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA82, ROHS COMPLIANT, FBGA-82

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K4B1G0446D-HCF70 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA82,11X13,32
针数：	82	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.84	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B82
长度：	11 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	82	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	256MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA82,11X13,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	8
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	9 mm

K4B1G0446D-HCF70 数据手册

1Gb DDR3 SDRAM

K4B1G04(08/16)46D

1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification

82 / 100 FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS Compliant)

CAUTION :

* This document includes some items still under discussion in JEDEC.

* Therefore, those may be changed without pre-notice based on JEDEC progress.

* And it’s highly recommended not to send the spec without Samsung’s permission.

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

OGY. ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT

GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.1 August 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4B1G0446D-HCF7T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 256MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA82
K4B1G0446D-HCF8	SAMSUNG	获取价格	1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification
K4B1G0446D-HCH9	SAMSUNG	获取价格	1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification
K4B1G0446E	SAMSUNG	获取价格	DDR3 SDRAM Memory
K4B1G0446E-HCF7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.2ns, CMOS, PBGA78
K4B1G0446E-HCF8	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.15ns, CMOS, PBGA78,
K4B1G0446F	SAMSUNG	获取价格	DDR3 SDRAM Memory
K4B1G0446F-HCF8	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78,
K4B1G0446F-HYF8	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
K4B1G0446F-HYF80	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78

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